IR2117STRPBF vs IR2110STRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IR2110STRPBF et IR2117STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC 16W
SOIC 8N
Description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Half-Bridge
High-Side
ChannelType
Independent
Single
NumberofDrivers
2
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
3.3V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
2A, 2A
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
500 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
25ns, 17ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
