IR2110STRPBF vs IR2110S

Cette comparaison détaillée des composants IR2110S et IR2110STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2110S

+Nomenclature

5478 PCS | Technologie Infineon
IR2110STRPBF

+Nomenclature

1823 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 16W
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2110 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 2A, 2A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 500 V
Rise/FallTime(Typ) - 25ns, 17ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2110S IR2110STRPBF

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