FDMC8030 vs FDMC86160

Cette comparaison détaillée des composants FDMC8030 et FDMC86160 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDMC8030 FDMC86160
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 9A (Ta), 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1290 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC80 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V -
Power - Max 800mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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