FDG6316P vs FDG6332C-PG
Cette comparaison détaillée des composants FDG6316P et FDG6332C-PG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Description
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier
-
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
N and P-Channel Complementary
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs
-
300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max
-
300mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6316
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 P-Channel (Dual)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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