FDG6316P vs FDG6332C
Cette comparaison détaillée des composants FDG6316P et FDG6332C vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TSSOP-6
Description
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
700mA, 600mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
113pF @ 10V
Power-Max
-
300mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6316
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
