FDG6316P vs FDG6318PZ

Cette comparaison détaillée des composants FDG6316P et FDG6318PZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDG6316P

+Nomenclature

4567 PCS | Semi - conducteurs
FDG6318PZ

+Nomenclature

3452 PCS | Semi - conducteurs
Package SC-88
Description MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88 MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Supplier - onsemi
ProductStatus - Obsolete
FETType - 2 P-Channel (Dual)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 500mA
RdsOn(Max)@IdVgs - 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.62nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 85.4pF @ 10V
Power-Max - 300mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Series PowerTrench® -
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Modèle de comparaison : FDG6316P FDG6318PZ

+Nomenclature Demande de devis