FDG6316P vs FDG6318PZ

Cette comparaison détaillée des composants FDG6316P et FDG6318PZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDG6316P FDG6318PZ
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 85.4pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series PowerTrench® -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 6V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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