FDG6306P vs FDG6332C-PG

Cette comparaison détaillée des composants FDG6306P et FDG6332C-PG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDG6306P

+Nomenclature

20835 PCS | Semi - conducteurs
FDG6332C-PG

+Nomenclature

3818 PCS | Semi - conducteurs
Package 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Description MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 600mA 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 114pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDG6306P FDG6332C-PG

+Nomenclature Demande de devis