FDG6320C vs FDG6318PZ

Cette comparaison détaillée des composants FDG6320C et FDG6318PZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDG6320C FDG6318PZ
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA, 140mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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