FDG6306P vs FDG6301N_D87Z Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants FDG6306P et FDG6301N_D87Z vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDG6306P

+Nomenclature

20835 PCS | Semi - conducteurs
FDG6301N_D87Z

+Nomenclature

2903 PCS | Semi - conducteurs
Package SC-88 SC-88
Description MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® -
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 114pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDG6306P FDG6301N_D87Z

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