FDG6322C vs FDG6306P
Cette comparaison détaillée des composants FDG6306P et FDG6322C vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Description
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Series
PowerTrench®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
600mA
220mA, 410mA
RdsOn(Max)@IdVgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
2nC @ 4.5V
0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
114pF @ 10V
9.5pF @ 10V
Power-Max
300mW
300mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
