STP80NF70 vs STP80NF55-08 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants STP80NF55-08 et STP80NF70 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
STP80NF55-08

+Nomenclature

4377 PCS | Semi - conducteurs optiques
STP80NF70

+Nomenclature

6041 PCS | Semi - conducteurs optiques
Package TO-220-3 TO-220-3
Description MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
Series STripFET™ STripFET™ II
Part Status Not For New Designs Not For New Designs
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 68 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 80A (Tc) 98A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 9.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V 2550 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : STP80NF55-08 STP80NF70

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