STP80NF12 vs STP80NF55-08 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants STP80NF55-08 et STP80NF12 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO-220
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Series
STripFET™
STripFET™ II
Part Status
Not For New Designs
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
120 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
80A (Tc)
80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
189 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3850 pF @ 25 V
4300 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
