STP80NF10 vs STP80NF55-08 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants STP80NF55-08 et STP80NF10 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO-220
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Series
STripFET™
STripFET™ II
Part Status
Not For New Designs
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
80A (Tc)
80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
182 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3850 pF @ 25 V
5500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
