MMBFJ309LT1G vs MMBFJ177

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ177 et MMBFJ309LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
MMBFJ177

+Nomenclature

4476 PCS | Semi - conducteurs
MMBFJ309LT1G

+Nomenclature

3774 PCS | Semi - conducteurs
Package SOT-23-3 SOT-23-3
Description JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 800 mV @ 10 nA -
Resistance-RDS(On) 300 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 30mA
Voltage-Rated - 25 V
Modèle de comparaison : MMBFJ177 MMBFJ309LT1G

+Nomenclature Demande de devis