MMBFJ309LT1G vs MMBFJ175
Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ309LT1G et MMBFJ175 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-3
TO-236-3
Description
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Supplier
-
onsemi,Flip Electronics
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
-
P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
-
30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
-
7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
-
3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On)
-
125 Ohms
Power-Max
-
225 mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
TransistorType
N-Channel JFET
-
CurrentRating(Amps)
30mA
-
Voltage-Rated
25 V
-
