MMBFJ175LT1G vs MMBFJ309LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ175LT1G et MMBFJ309LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ175LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 2714 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - JFET

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Part B

MMBFJ309LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3774 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FET, MOSFET - RF

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Full specification comparison

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Specification	MMBFJ175LT1G	MMBFJ309LT1G
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	-
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)	30 V	-
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)	7 mA @ 15 V	-
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id	3 V @ 10 nA	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)	-
Rds On	125 Ohms	-
Power - Max	225 mW	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-
Transistor Type	-	N-Channel JFET
Current Rating (Amps)	-	30mA
Voltage - Rated	-	25 V

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