MMBFJ175LT1G vs MMBFJ112

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ112 et MMBFJ175LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
MMBFJ112

+Nomenclature

3055 PCS | Semi - conducteurs
MMBFJ175LT1G

+Nomenclature

2714 PCS | Semi - conducteurs
Package SOT-23-3 SOT-23-3
Description JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 35 V 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 1 V @ 1 µA 3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On) 50 Ohms 125 Ohms
Power-Max 350 mW 225 mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Modèle de comparaison : MMBFJ112 MMBFJ175LT1G

+Nomenclature Demande de devis