MMBFJ310LT1G vs MMBFJ175LT1G Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ175LT1G et MMBFJ310LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
MMBFJ175LT1G

+Nomenclature

2714 PCS | Semi - conducteurs
MMBFJ310LT1G

+Nomenclature

7096 PCS | Semi - conducteurs
Package SOT-23-3 SOT-23-3
Description JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 125 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 60mA
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
Modèle de comparaison : MMBFJ175LT1G MMBFJ310LT1G

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