LT1013DDR vs LT1013MDREP

Cette comparaison détaillée des composants LT1013DDR et LT1013MDREP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LT1013DDR

+Nomenclature

4759 PCS | Texas Instruments
LT1013MDREP

+Nomenclature

2275 PCS | Texas Instruments
Package 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 18 nA 15 nA
Voltage-InputOffset 90 µV 60 µV
Current-Supply 320µA (x2 Channels) 350µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel - 25 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -55°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LT1013DDR LT1013MDREP

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