LT1013DDR vs LT1013DDRE4 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants LT1013DDR et LT1013DDRE4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LT1013DDR

+Nomenclature

4759 PCS | Texas Instruments
LT1013DDRE4

+Nomenclature

4619 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8
Description IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.4V/µs 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 18 nA 18 nA
Voltage - Input Offset 90 µV 90 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 5 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 30 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LT1013DDR LT1013DDRE4

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