LT1013DDR vs LT1013DMD
Cette comparaison détaillée des composants LT1013DDR et LT1013DMD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description
LT1013D LOW POWER, 4V-44V WIDE S
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
AmplifierType
General Purpose
General Purpose
NumberofCircuits
2
2
SlewRate
0.4V/µs
0.4V/µs
GainBandwidthProduct
1 MHz
1 MHz
Current-InputBias
18 nA
18 nA
Voltage-InputOffset
90 µV
90 µV
Current-Supply
320µA (x2 Channels)
320µA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min)
5 V
5 V
Voltage-SupplySpan(Max)
30 V
30 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C (TA)
0°C ~ 70°C (TA)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
