IRLML0030TRPBF vs IRLML2246TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML0030TRPBF et IRLML2246TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML0030TRPBF IRLML2246TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A (Ta) 2.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 27mOhm @ 5.2A, 10V 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.3V @ 25µA 1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.6 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 382 pF @ 15 V 220 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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