IRLML6401TRPBF vs IRLML0100TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML6401TRPBF et IRLML0100TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML6401TRPBF IRLML0100TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 1.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 290 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IRLML6401 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±8V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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