IRLML6401TRPBF vs IRLML6344TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML6401TRPBF et IRLML6344TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML6401TRPBF IRLML6344TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 6.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 650 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IRLML6401 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±8V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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