IRFR5305TRPBF vs IRFR5305PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFR5305PBF et IRFR5305TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-252-3
TO-252-3
Description
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
31A (Tc)
31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
