IRFP460PBF vs IRFP460APBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP460PBF et IRFP460APBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP460PBF

+Nomenclature

2768 PCS | Technologie Infineon
IRFP460APBF

+Nomenclature

3680 PCS | Siliconix
Package TO-247-3 TO-247-3
Description MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
ProductStatus Last Time Buy Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc) 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4200 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Modèle de comparaison : IRFP460PBF IRFP460APBF

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