IRFP4229PBF vs IRFP4310ZPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4229PBF et IRFP4310ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFP4229PBF IRFP4310ZPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 44A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 310W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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