IRFHM830TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFHM830TRPBF et IRFHM8363TR2PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
VDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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1165pF @ 10V
Power-Max
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2.7W
MountingType
-
Surface Mount
Series
HEXFET®
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Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRFHM830
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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