IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFHM792TRPBF et IRFHM8363TR2PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
VDFN-8
VDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Last Time Buy
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 10µA
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6.3nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
251pF @ 25V
1165pF @ 10V
Power-Max
2.3W
2.7W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
