IRFHM830TRPBF vs IRFHM792TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFHM830TRPBF et IRFHM792TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
VDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
6.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
251pF @ 25V
Power-Max
-
2.3W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRFHM830
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
