IRFB4310PBF vs IRFB4710PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4310PBF et IRFB4710PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB4310PBF IRFB4710PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130A (Tc) 75A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7670 pF @ 50 V 6160 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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