IRFB4410ZPBF vs IRFB4310PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4410ZPBF et IRFB4310PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB4410ZPBF

+Nomenclature

6749 PCS | Technologie Infineon
IRFB4310PBF

+Nomenclature

4639 PCS | Redresseur international
Package TO-220 TO-220-3
Description MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 97A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 7670 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB4410ZPBF IRFB4310PBF

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