IRFB4615PBF vs IRFB4310PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4310PBF et IRFB4615PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB4310PBF

+Nomenclature

4639 PCS | Redresseur international
IRFB4615PBF

+Nomenclature

7060 PCS | Redresseur international
Package TO-220-3 TO-220-3
Description IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130A (Tc) 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7mOhm @ 75A, 10V 39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 250 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 7670 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 300W (Tc) 144W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB4310PBF IRFB4615PBF

+Nomenclature Demande de devis