IRFB3806PBF vs IRFB3307ZPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307ZPBF et IRFB3806PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB3307ZPBF

+Nomenclature

2255 PCS | Redresseur international
IRFB3806PBF

+Nomenclature

5920 PCS | Technologie Infineon
Package TO-220AB TO-220-3
Description IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
ProductStatus Active Active
Series - HEXFET®
FETType - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1150 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 71W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB3307ZPBF IRFB3806PBF

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