IRFB3307ZPBF vs IRFB3806PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307ZPBF et IRFB3806PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3307ZPBF

Redresseur international

Lifecycle: Active
Stock: 2255 PCS
Package: TO-220AB
Series: Circuits intégrés dédiés

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Part B

IRFB3806PBF

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5920 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

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Full specification comparison

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Specification	IRFB3307ZPBF	IRFB3806PBF
Part Status	Active	Active
Series	-	HEXFET®
FET Type	-	N-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	-	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	30 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	1150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	-	71W (Tc)
Operating Temperature	-	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	-	Through Hole

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