IRFB3307ZPBF vs IRFB3077PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307ZPBF et IRFB3077PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB3307ZPBF IRFB3077PBF
Part Status Active Active
Series - HEXFET®
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 220 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9400 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 370W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
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