IRFB3077PBF vs IRFB38N20DPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3077PBF et IRFB38N20DPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB3077PBF

+Nomenclature

4658 PCS | Redresseur international
IRFB38N20DPBF

+Nomenclature

6086 PCS | Technologie Infineon
Package TO-220 TO-220
Description IRFB3077 - 12V-300V N-CHANNEL PO IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 75 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc) 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 220 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9400 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 370W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB3077PBF IRFB38N20DPBF

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