IRF9317TRPBF vs IRF9358PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9358PBF et IRF9317TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
-
Power - Max
2W
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
IRF9358
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
92 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
2820 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
