IRF9393TRPBF vs IRF9358PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF9393TRPBF et IRF9358PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF9393TRPBF IRF9358PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 1740pF @ 25V
Power - Max - 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IRF9358
FET Type P-Channel -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9.2A (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V, 20V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 13.3mOhm @ 9.2A, 20V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.4V @ 25µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±25V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) -
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