IRF9393TRPBF vs IRF9358PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9393TRPBF et IRF9358PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
-
Discontinued at Digi-Key
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
1740pF @ 25V
Power - Max
-
2W
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
IRF9358
ProductStatus
Active
-
FETType
P-Channel
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
9.2A (Ta)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V, 20V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
-
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 25µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1110 pF @ 25 V
-
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
