IRF7832TRPBF vs IRF7862TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7832TRPBF et IRF7862TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
20A (Ta)
21A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.32V @ 250µA
2.35V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
45 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4310 pF @ 15 V
4090 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
