IRF7853TRPBF vs IRF7821TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7853TRPBF et IRF7821TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7853TRPBF IRF7821TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
Base Product Number IRF7853 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 13.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1010 pF @ 15 V
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