IRF7821TRPBF vs IRF7853TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7853TRPBF et IRF7821TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
Base Product Number
IRF7853
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
13.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
1010 pF @ 15 V
