IRF7842TRPBF vs IRF7855TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7842TRPBF et IRF7855TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Ta)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
5mOhm @ 17A, 10V
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.25V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
50 nC @ 4.5 V
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4500 pF @ 20 V
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
