IRF7470TRPBF vs IRF7424TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7424TRPBF et IRF7470TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7424TRPBF

+Nomenclature

1921 PCS | Redresseur international
IRF7470TRPBF

+Nomenclature

7099 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IRF7424 - 20V-250V P-CHANNEL POW MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Ta) 10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 13.5mOhm @ 11A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4030 pF @ 25 V 3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7424TRPBF IRF7470TRPBF

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