IRF7470TRPBF vs IRF7473TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7473TRPBF et IRF7470TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.9A (Ta)
10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5.5V @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
61 nC @ 10 V
44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3180 pF @ 25 V
3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
