IRF7470TRPBF vs IRF7413ZTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7413ZTRPBF et IRF7470TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7413ZTRPBF

+Nomenclature

2446 PCS | Technologie Infineon
IRF7470TRPBF

+Nomenclature

7099 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET N-CH 30V 13A 8SO MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A (Ta) 10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 10mOhm @ 13A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.25V @ 25µA 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1210 pF @ 15 V 3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7413ZTRPBF IRF7470TRPBF

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