IRF7380PBF vs IRF7304PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7380PBF et IRF7304PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7380PBF

+Nomenclature

3152 PCS | Technologie Infineon
IRF7304PBF

+Nomenclature

2321 PCS | Technologie Infineon
Package 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 22nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 610pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7380PBF IRF7304PBF

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