IRF7380PBF vs IRF7325TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7380PBF et IRF7325TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
80V
12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.6A
7.8A
RdsOn(Max)@IdVgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
33nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 25V
2020pF @ 10V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Connexes
9061 PCS
4680 PCS
