IRF7380PBF vs IRF7306QTRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7380PBF et IRF7306QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
Supplier
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Infineon Technologies
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
80V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.6A
3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 25V
440pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
