IRF7317TRPBF vs IRF7329TR

Cette comparaison détaillée des composants IRF7317TRPBF et IRF7329TR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7317TRPBF

+Nomenclature

2170 PCS | Technologie Infineon
IRF7329TR

+Nomenclature

6789 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A, 5.3A 9.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 3450pF @ 10V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7317TRPBF IRF7329TR

+Nomenclature Demande de devis