IRF7317TRPBF vs IRF7319PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7317TRPBF et IRF7319PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
N and P-Channel
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
27nC @ 4.5V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
650pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.6A, 5.3A
-
