IRF7317TRPBF vs IRF7309TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7309TRPBF et IRF7317TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7309TRPBF

+Nomenclature

5390 PCS | Technologie Infineon
IRF7317TRPBF

+Nomenclature

2170 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A, 3A 6.6A, 5.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 520pF @ 15V 900pF @ 15V
Power-Max 1.4W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7309TRPBF IRF7317TRPBF

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